국내 대학 공동연구팀, 뇌 주름에 착안 메모리 성능 4배 향상

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(구미=연합뉴스) 김현태 기자 = 국립 금오공과대학교·서울과학기술대학교·가천대학교 공동연구팀이 인간 뇌의 '주름 구조'에서 착안한 인공 신경소자를 개발해 메모리 성능을 기존 대비 4배 이상 끌어올렸다.

24일 금오공대에 따르면 금오공대 배근열 교수, 서울과기대 이은호 교수, 가천대 김대건 교수로 구성된 연구팀은 인간 대뇌 피질이 주름을 통해 신경세포 간 연결 면적을 넓혀 학습과 기억 능력을 높인다는 점에 주목했다.

연구팀은 이에 고분자 반도체 박막 표면에 기계적 압축으로 미세한 주름을 만들었다.

그 결과, 주름 구조를 적용한 소자는 기존 평면 구조 소자보다 장기 기억 유지 성능이 4배 이상 향상된 것으로 나타났다.

또 해당 소자는 기존 소자 대비 140% 이상 높은 학습 정확도도 기록했다.

연구팀은 이번 성과가 뇌의 구조적 특징을 전자 하드웨어 수준에서 구현한 사례라는 점에서 의미가 크다고 설명했다.

이번 연구 결과는 우수성과 독창성을 인정받아 재료과학 분야 국제학술지인 '스몰(Small)'의 표지논문으로 선정됐다.

mtkht@yna.co.kr

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